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                    GIS局部放電主要由下列缺陷引發(fā)

                    GIS局部放電主要由下列缺陷引發(fā):
                    *載流導(dǎo)體表面缺陷:如毛刺,尖角,等引起導(dǎo)體表面電廠強(qiáng)度不均勻,這種缺陷通常在制造或安裝時(shí)造成的,在穩(wěn)定的工頻電壓下不易引起擊穿,但在操作或沖擊電壓下很可能引起擊穿。
                    *
                    絕緣子表面缺陷:如制造質(zhì)量**,絕緣子有氣泡或裂紋,安裝**下的污跡,塵埃等。
                    *GIS
                    筒內(nèi)在制造和安裝過(guò)程中存在的自由導(dǎo)電微粒。
                    *
                    導(dǎo)體部分接觸**。
                    AIAcompact主要特點(diǎn):
                    1
                    可連接聲波傳感器
                    2
                    可連接特高頻(UHF)傳感器(300MHz-2GHz
                    3
                    儀器自動(dòng)識(shí)別傳感器類(lèi)型
                    4
                    內(nèi)置可充電電池,攜帶方便,測(cè)量快速
                    5
                    紅外同步裝置
                    6
                    RS232接口,連接電腦可進(jìn)行深入技術(shù)分析
                    7
                    高靈敏度:1mv1pc
                    8
                    LCD顯示屏
                    9
                    三種顯示模式

                    滬公網(wǎng)安備 31010602002582號(hào)

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